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2SB941PQ

更新时间： 2024-09-21 19:44:55

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	47K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, FULL PACK-3

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2SB941PQ 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, FULL PACK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.72
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SB941PQ 数据手册

Power Transistors

2SB941, 2SB941A

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency power amplification

Complementary to 2SD1266 and 2SD1266A

Unit: mm

Features

■

10.0±0.2

5.5±0.2

4.2±0.2

●

High forward current transfer ratio h_FEwhich has satisfactory linearity

2.7±0.2

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

one screw

φ3.1±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1.3±0.2

Collector to

2SB941

2SB941A

2SB941

–60

1.4±0.1

V_CBO

base voltage

Collector to

–80

+0.2

–0.1

0.5

0.8±0.1

–60

V_CEO

emitter voltage 2SB941A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–80

2.54±0.25

V_EBO

I_CP

–5

5.08±0.5

–5

I_C

–3

1:Base

2:Collector

3:Emitter

TO–220 Full Pack Package(a)

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CES

Conditions

min

typ

max

–200

–300

–1

Unit

2SB941

V_CE= –60V, V_BE= 0

µA

current

2SB941A

2SB941

V_CE= –80V, V_BE= 0

V_CE= –30V, I_B= 0

V_CE= –60V, I_B= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

Collector cutoff

current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

µA

2SB941A

Emitter cutoff current

Collector to emitter 2SB941

voltage 2SB941A

–60

–80

I_C= –30mA, I_B= 0

h_FE1

V_CE= –4V, I_C= –1A

250

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

V_BE

V_CE= –4V, I_C= –3A

–1.8

–1.2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= –3A, I_B= – 0.375A

V_CE= –10V, I_C= – 0.5A, f = 10MHz

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

0.5

1.2

0.3

MHz

µs

I_C= –1A, I_B1= – 0.1A, I_B2= 0.1A

µs

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

Note: Ordering can be made by the common rank (PQ rank h_FE1= 70 to 250) in the

rank classification.

70 to 150

120 to 250

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB941Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186
2SB941R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186
2SB942	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type(For low-frequency power amplification)
2SB942	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB942	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB942	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB942	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
2SB942/2SB942A	ETC	获取价格	2SB942. 2SB942A - PNP Transistor
2SB942_15	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB942_2014	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors

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