2SB942

更新时间： 2024-01-03 07:49:45

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	49K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type(For low-frequency power amplification)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB942 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SB942 数据手册

Power Transistors

2SB942, 2SB942A

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency power amplification

Complementary to 2SD1267 and 2SD1267A

Unit: mm

Features

■

10.0±0.2

5.5±0.2

4.2±0.2

●

High forward current transfer ratio h_FEwhich has satisfactory linearity

2.7±0.2

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

one screw

φ3.1±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1.3±0.2

Collector to

2SB942

2SB942A

2SB942

–60

1.4±0.1

V_CBO

base voltage

Collector to

–80

+0.2

–0.1

0.5

0.8±0.1

–60

V_CEO

emitter voltage 2SB942A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–80

2.54±0.25

V_EBO

I_CP

–5

5.08±0.5

–8

I_C

–4

1:Base

2:Collector

3:Emitter

TO–220 Full Pack Package(a)

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CES

Conditions

min

typ

max

–400

–700

–1

Unit

2SB942

V_CE= –60V, V_BE= 0

µA

current

2SB942A

2SB942

V_CE= –80V, V_BE= 0

V_CE= –30V, I_B= 0

V_CE= –60V, I_B= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

Collector cutoff

current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

µA

2SB942A

Emitter cutoff current

Collector to emitter 2SB942

voltage 2SB942A

–60

–80

I_C= –30mA, I_B= 0

h_FE1

V_CE= –4V, I_C= –1A

250

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

V_BE

V_CE= –4V, I_C= –3A

–2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= –4A, I_B= – 0.4A

–1.5

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= –10V, I_C= – 0.1A, f = 10MHz

0.2

0.5

0.2

MHz

µs

I_C= –4A, I_B1= – 0.4A, I_B2= 0.4A

µs

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

Note: Ordering can be made by the common rank (PQ rank h_FE1= 70 to 250) in the

rank classification.

70 to 150

120 to 250

中文翻译

下载PDF

与2SB942相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB942/2SB942A	ETC	获取价格	2SB942. 2SB942A - PNP Transistor
2SB942_15	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB942_2014	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB942A	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB942A	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB942A	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB942A	PANASONIC	获取价格	For Low-Frequency Power Amplification
2SB942AP	ISC	获取价格	Transistor
2SB942AP	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SB942APQ	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3

与2SB942相关文章

LM317T数据手册解读：产品特性、应用、封装与引脚详解
2024-06-14

14
一文带你了解?DB3二极管好坏判断、参数信息、替代推荐
2024-06-14

16
LM358DR数据手册：引脚说明、电气参数及替换型号推荐
2024-06-14

10
OP07CP数据手册解读：引脚信息、电子参数
2024-06-14

16

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB942

2SB942 技术参数

2SB942 数据手册

与2SB942相关器件

与2SB942相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB942

2SB942 技术参数

2SB942 数据手册

与2SB942相关器件

与2SB942相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？