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2SB834-O

更新时间： 2024-11-19 01:21:23
品牌 Logo 应用领域
SECOS /
页数 文件大小 规格书
1页 66K
描述
PNP Plastic-Encapsulated Transistor

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2SB834-O 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61Is Samacsys：N
Base Number Matches：1

2SB834-O 数据手册

  
2SB834  
-3A , -60V  
PNP Plastic-Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
ITO-220J  
FEATURES  
ꢀ
Power switching applications  
B
N
D
E
CLASSIFICATION OF hFE  
2SB834-O  
2SB834-Y  
100~200  
Product-Rank  
M
J
A
C
60~120  
Range  
H
K
L
G
F
Collector  
L
2
Millimeter  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
14.80  
9.50  
Max.  
15.60  
10.50  
Min.  
Max.  
4.00  
1.50  
0.90  
2.74  
2.90  
1
Base  
A
B
C
D
E
F
H
J
K
L
M
N
3.00  
0.90  
0.50  
2.34  
2.50  
13.00 REF.  
4.30  
2.50  
2.40  
0.30  
4.70  
3.20  
2.90  
0.75  
3
Emitter  
φ 3.5 REF.  
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector to Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
-60  
V
V
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
-60  
-7  
V
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
Thermal resistance, junction to case  
Junction, Storage Temperature  
-3  
A
PC  
2
W
RθJC  
TJ, TSTG  
4.16  
°C / W  
°C  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ. Max.  
Unit  
Test Condition  
Collector to Base Breakdown Voltage  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
Emitter to Base Breakdown Voltage  
Collector Cut – Off Current  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-60  
-60  
-7  
-
-
-
V
V
IC= -1mA, IE=0  
-
-
IC= -50mA, IB=0  
IE= -1mA, IC=0  
-
-
V
-
-100  
µA  
µA  
VCB= -60V, IE=0  
VEB= -7V, IC=0  
Emitter Cut – Off Current  
IEBO  
-
-
-100  
60  
20  
-
-
-
200  
VCE= -5V, IC= -500mA  
VCE= -5V, IC= -3A  
IC= -3A, IB= -0.3A  
VCE= -5V, IC= -0.5A  
DC Current Gain  
hFE  
-
-1  
-1  
-
Collector to Emitter Saturation Voltage  
Base to Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
Turn-on Time  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
-
V
V
-
-
5
-
MHz VCE= -5V, IC= -500mA, f =1MHz  
tON  
-
0.7  
2
-
Storage Time  
tSTG  
-
-
µs B1= -IB2= -0.2A, IC=2A, VCC=30V  
I
Turn-off Time  
tOFF  
-
0.9  
-
Note:  
1. Pulse test.  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
14-Aug-2012 Rev. A  
Page 1 of 1  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB834O(TO-126) UTC

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 		Transistor
2SB834-O-T60-K UTC

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
2SB834-O-TA3-T UTC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SB834-O-TF3-T UTC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SB834-X-T60-K UTC

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 		HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
2SB834-X-TA3-T UTC

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 		HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
2SB834-X-TF3-T UTC

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 		HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
2SB834Y MOSPEC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB
2SB834-Y SECOS

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 		PNP Plastic-Encapsulated Transistor
2SB834Y(TO-126) UTC

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 		Transistor

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