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2SB835S

更新时间： 2024-11-18 15:25:07
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 569K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 18V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, SC-71, 3 PIN

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2SB835S 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-71
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：18 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：180JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

2SB835S 数据手册

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Transistor  
2SB0835 (2SB835)  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For low-frequency output amplification  
Unit: mm  
6.9±0.1  
2.5±0.1  
1.5  
1.5 R0.9  
1.0  
9  
Features  
■
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
●
M type package allowing easy automatic and manual insertioas  
well as stand-alone fixing to the printed circuit boad.  
R0.
.85  
Absolute Maximum Ratings (Ta=2˚C)  
0.55±0.1  
0.45±0.05  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
O  
ICP  
Rings  
Unit  
V
3
2
1
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–20  
–18  
V
2.5  
2.5  
–5  
V
–2  
A
1:Base  
–1  
A
2:Collector  
3:Emitter  
EIAJ:SC–71  
M Type Mold Package  
*
Collector power sipation  
Junction temprature  
Storage teperatue  
PC  
W
˚C  
˚C  
Tj  
50  
Tstg  
+150  
*
Prined ciard: Copper fil area of 1cmor more, and the board  
hickne7mm for the colctor portn  
Electrical Chaacteriscs (Ta=25˚C)  
■
ametr  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
VCB = –10V, IE = 0  
min  
typ  
max  
–1  
Unit  
µA  
µA  
V
Coent  
ICEO  
VCE = –18V, IB = 0  
–10  
Collector voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC = –10µA, IE = 0  
–20  
–18  
–5  
IC = –1mA, IB = 0  
V
IE = –10µA, IC = 0  
V
*
hFE1  
VCE = –2V, IC = –0.5A  
VCE = –2V, IC = –1.5A  
IC = –1A, IB = –50mA  
I= –500mA, IB = –50mA  
130  
50  
280  
Forward current transfer ratio  
hFE2  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
– 0.5  
–1.2  
V
V
Transition frequency  
fT  
VCB = –6V, IE = 50mA, f = 200MHz  
VCB = –6V, IE = 0, f = 1MHz  
200  
40  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
R
S
130 ~ 210  
180 ~ 280  
Note.) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.  
208  
123

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