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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB632E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
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| 2SB632F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
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| 2SB632K | SANYO |
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25V/35V, 2A Low-Frequency Power Amp Applications |
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| 2SB632K | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB632K | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB632K | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB632KD | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
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| 2SB632KE | ISC |
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Transistor |
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| 2SB632KF | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
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| 2SB633 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(6.0A,85V,40W) |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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