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2SB632F

更新时间: 2024-02-29 19:12:50
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其他 - ETC 晶体晶体管
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7页 596K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126

2SB632F 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SIP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.48
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:35 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):160
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):10 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

2SB632F 数据手册

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