5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SIP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.48 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 35 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB632K | SANYO |
获取价格 |
25V/35V, 2A Low-Frequency Power Amp Applications |
|
| 2SB632K | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB632K | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB632K | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB632KD | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
|
| 2SB632KE | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SB632KF | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
|
| 2SB633 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(6.0A,85V,40W) |
|
| 2SB633 | Wing Shing |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
|
| 2SB633 | SANYO |
获取价格 |
85V/6A, AF 25 to 35W Output Applications |
|
解读BSS138W数据手册：引脚信息、电气参数及替换型号推荐
深入解读2N7002E数据手册：引脚图说明、应用与替换型号推荐
手册资料解析：OPA2277UA引脚图信息、电气参数
手册解析：INA826AIDR引脚图及功能说明、电气参数介绍
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
