是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SC-59 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.75 | 风险等级: | 5.22 |
最大集电极电流 (IC): | 0.7 A | 集电极-发射极最大电压: | 25 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 200 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 0.2 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 160 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SB624BV4-T2B-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,25V V(BR)CEO,700MA I(C),TO-236VAR | |
2SB624BV5 | NEC |
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BJT | |
2SB624BV5 | CJ |
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Transistor | |
2SB624-BV5 | KEXIN |
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PNP Transistors | |
2SB624BV5-A | NEC |
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暂无描述 | |
2SB624-BV5-HF | KEXIN |
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PNP Transistors | |
2SB624BV5-T1B | RENESAS |
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700mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN | |
2SB624BV5-T1B-A | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL | |
2SB624BV5-T2B | RENESAS |
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700mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN | |
2SB624BV5-T2B-A | RENESAS |
获取价格 |
700mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN |