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2SB624-T1B

更新时间: 2024-11-05 03:56:31
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
4页 260K
描述
AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

2SB624-T1B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-59包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.61最大集电极电流 (IC):0.7 A
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):160 MHzBase Number Matches:1

2SB624-T1B 数据手册

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