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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.59 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 135 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 160 MHz | VCEsat-Max： | 0.6 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB628 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB628 | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| 2SB628 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistor |
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| 2SB628Q | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| 2SB628R | ISC |
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Transistor |
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| 2SB628S | ISC |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SB631 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB631 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB631 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB631 | SANYO |
获取价格 |
100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications |
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