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2SB631

更新时间： 2024-01-25 19:55:57
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
4页 91K
描述
TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

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2SB631 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.35最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：8 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：110 MHzVCEsat-Max：0.4 V
Base Number Matches：1

2SB631 数据手册

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Ordering number : ENN346G  
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors  
2SB631, 631K/  
2SD600, 600K  
100V/120V, 1A Low-Frequency  
Power Amplifier Applications  
Features  
Package Dimensions  
unit:mm  
· High breakdown voltage V  
current 1A.  
· Low saturation voltage, excellent h linearity.  
100/120V, High  
CEO  
2009B  
FE  
[2SB631, 631K/2SD600, 600K]  
8.0  
2.7  
4.0  
3.0  
1.6  
0.8  
0.8  
0.6  
0.5  
1 : Emitter  
1
2
3
2 : Collector  
3 : Base  
( ) : 2SB631, 631K  
2.4  
4.8  
SANYO : TO-126  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Symbol  
Conditions  
2SB631, D600  
(–)100  
(–)100  
2SB631K, D600K  
(–)120  
Unit  
V
V
CBO  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
(–)120  
V
CEO  
V
(–)5  
V
EBO  
I
(–)1  
A
C
Collector Current (Pulse)  
I
(–)2  
A
CP  
1
W
W
˚C  
˚C  
Collector Dissipation  
P
C
Tc=25˚C  
8
150  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
B631, D600  
(–)100  
(–)120  
(–)100  
(–)120  
(–)5  
V
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage  
Collector-to-Emitter Brakdown Voltage  
V
I
I
=(–)10μA, I =0  
E
(BR)CBO  
C
B631K, D600K  
B631, D600  
V
V
V
=(–)1mA, R =∞  
BE  
(BR)CEO  
C
B631K, D600K  
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I =(–)10μA, I =0  
V
(BR)EBO  
E
C
I
V
=(–)50V, I =0  
E
(–)1  
(–)1  
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
Emitter Cutoff Current  
I
V
=(–)4V, I =0  
C
EBO  
Continued on next page.  
© 2011, SCILLC. All rights reserved.  
Jan-2011, Rev. 0  
Publication Order Number:  
2SB631_2SB631K_2SD600_2SD600K/D  
www.onsemi.com  
1234

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