2SB631

更新时间： 2024-01-17 03:44:36

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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4页	179K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB631 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.35	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	8 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	110 MHz	VCEsat-Max：	0.4 V
Base Number Matches：	1

2SB631 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB631 2SB631K

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SD600/K

·High breakdown voltage V_CEO:-100/-120V

·High current: -1A

·Low saturation voltage,excellent h_FElinearity

APPLICATIONS

·For low-frequency power

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-100

-120

-100

-120

-5

UNIT

2SB631

2SB631K

2SB631

2SB631K

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-Peak

Open collector

-1

I_CM

-2

T_a=25℃

T_C=25℃

P_D

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3 4

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