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2SB624BV5

更新时间： 2024-11-18 20:29:43

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
2页	268K
描述
Transistor

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2SB624BV5 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	0.7 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	250	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	140 MHz	Base Number Matches：	1

2SB624BV5 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

2SB624 TRANSISTOR (PNP)

SOT-23

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

FEATURES

High DC current gain. h_FE:200 TYP.(V_CE=-1V,I_C=-100mA)

Complimentary to 2SD596.

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Value

-30

Units

-25

-5

Collector Current -Continuous

Total Device Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

-700

200

℃

P_D

T_J

150

T_stg

-55-150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-30

-25

-5

I_C=-100μA, I_E=0

I_C= -1mA, I_B=0

I_E= -100μA, I_C=0

V_CB=-30 V , I_E=0

-0.1

400

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= -5V ,

I_C=0

h_FE(1)

V_CE= -1V, I_C= -100mA

V_CE=-1V, I_C= -700mA

I_C=-700 mA, I_B= -70mA

V_CE=-6V, I_C=-10mA

110

DC current gain

h_FE(2)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

-0.6

-0.7

V_BE

-0.6

Transition frequency

_CE= -6V, I_C= -10mA

160

MHz

f_T

Collector Output Capacitance

Cob

VCB=-6V,IE=0,f=1MHZ

* Pulse test : Pulse width ≤350μs,Duty Cycle≤2%.

CLASSIFICATION OF h^FE

(1)

BV1

BV2

BV3

BV4

200-320

BV5

250-400

Marking

Range

110-180

135-220

170-270

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