2SB562-AP

更新时间： 2024-01-12 00:14:21

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美微科 - MCC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	224K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SB562-AP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.35
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	350 MHz
Base Number Matches：	1

2SB562-AP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2SB562

Micro Commercial Components

Features

ꢀꢁ Low Frequency Power Amplifier.

ꢀꢁ Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

PNP Epitaxial

Silicon Transistor

RoHS Compliant. See ordering information)

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

Complementary pair with 2SD468

TO-92L

Maximum Ratings

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Rating

-20

-25

-5.0

-1.0

Unit

P_C

T_J

T_STG

Collector power dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

0.9

-55 to +150

^OC

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-10ČAdc, I_E=0)

-20

-25

-5.0

---

Vdc

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1mAdc, I_B=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=-0.01mAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=-20Vdc,I_E=0)

---

-1000

nAdc

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_EB=-4.0Vdc, I_C=0)

---

ON CHARACTERISTICS

DIMENSIONS

h_FE

V_BE(on)

V_CE(sat)

f_T

DC Current gain

(I_C=500mAdc, V_CE=2.0Vdc)

Base-Emitter On Voltage

(V_CE=-2.0Vdc, I_C=-500mAdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-0.8Adc, I_B=-80mAdc)

Current Gain Bandwidth Product

(V_CE=-2.0Vdc, I_C=-500mAdc)

Output Capacitance

---

240

-1.0

-0.5

---

INCHES

MAX

.161

DIM

MIN

.146

.157

---

.014

.050

.185

.307

.543

.024

MIN

MAX

NOTE

Vdc

MHz

3.700

4.000

4.10

---

0.063

.018

.062

.201

.323

.559

.031

---

1.600

0.350

1.280

4.700

0.450

1.580

5.100

350

7.800

13.80

.600

8.200

14.20

.800

C_ob

---

(V_CB=-10Vdc, I_E=0, f=1.0MHz)

(1) h_FEClassification B: 85~170, C: 120~240

0.350

.550

.014

.022

1.270

.050

.096

.104

2.440

2.640

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: 1

2009/04/24

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB562-AP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SB562B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92VAR
2SB562-B	HITACHI	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB562B(TO-92L)	CJ	获取价格	Transistor
2SB562B-AP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SB562B-AP-HF	MCC	获取价格	暂无描述
2SB562B-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SB562B-BP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
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2SB562-BPHF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,

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