2SB562CTZ

更新时间： 2024-11-18 13:04:11

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瑞萨 - RENESAS		/
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6页	157K
描述
1000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92MOD, 3 PIN

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2SB562CTZ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	350 MHz	Base Number Matches：	1

2SB562CTZ 数据手册

2SB562

Silicon PNP Epitaxial

REJ03G0646-0200

(Previous ADE-208-1024)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

•

Low frequency power amplifier

Complementary pair with 2SD468

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DC-A

(Package name: TO-92 Mod)

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

–25

Unit

–20

–5

–1.0

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

i_C(peak)

P_C

–1.5

0.9

°C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB562CTZ-E	RENESAS	获取价格	Silicon PNP Epitaxial
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2SB562G-B-T9N-K	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
2SB562G-C-T92-B	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
2SB562G-X-T92-B	UTC	获取价格	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
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