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2SB562G-B-T9N-B

更新时间: 2024-11-18 14:39:23
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4页 244K
描述
Small Signal Bipolar Transistor

2SB562G-B-T9N-B 技术参数

生命周期:Active包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.62
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):85
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):350 MHzBase Number Matches:1

2SB562G-B-T9N-B 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
2SB562  
PNPEPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
LOW FREQUENCY POWER  
AMPLIFIER  
1
„
FEATURES  
TO-92  
* Low frequency power amplifier  
* Complement to 2SD468  
1
TO-92NL  
„
ORDERING INFORMATION  
Order Number  
Pin Assignment  
Package  
Packing  
Lead Free  
Halogen Free  
1
E
E
E
E
2
C
C
C
C
3
B
B
B
B
TO-92  
TO-92  
Tape Box  
Bulk  
2SB562L-x-T92-B  
2SB562L-x-T92-K  
2SB562L-x-T9N-B  
2SB562L-x-T9N-K  
2SB562G-x-T92-B  
2SB562G-x-T92-K  
2SB562G-x-T9N-B  
2SB562G-x-T9N-K  
TO-92NL  
TO-92NL  
Tape Box  
Bulk  
www.unisonic.com.tw  
Copyright © 2012 Unisonic Technologies Co., Ltd  
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QW-R211-004.B  

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