2SB566

更新时间： 2024-11-17 22:49:27

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日立 - HITACHI		晶体晶体管
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描述
Silicon PNP Triple Diffused

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2SB566 数据手册

2SB566(K), 2SB566A(K)

Silicon PNP Triple Diffused

Application

Low frequency power amplifier power switching complementary pair with 2SD476(K) and 2SD476A(K)

Outline

TO-220AB

1. Base

2. Collector

(Flange)

3. Emitter

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Ratings

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

2SB566(K)

2SB566A(K)

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–70

–50

–60

–5

–4

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Note: 1. Value at T_C= 25°C.

I_C(peak)

P_C*¹

–8

°C

150

Tstg

–55 to +150

12 3 4 5 6

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