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2SB566_2014

更新时间： 2024-02-14 23:14:00

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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB566_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB566 2SB566A

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SD476/476A

APPLICATIONS

·For low frequency power amplifier

power switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-70

UNIT

V_CBO

2SB566

-50

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

2SB566A

-60

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-5

-4

I_CM

P_C

T_j

Collector current-peak

Collectorl power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-8

T_C=25℃

℃

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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