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2SB566AC(K)

更新时间： 2024-01-08 21:31:43

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2SB566AC(K) 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	7 MHz	Base Number Matches：	1

2SB566AC(K) 数据手册

2SB566(K), 2SB566A(K)

Silicon PNP Triple Diffused

ADE-208-855 (Z)

1st. Edition

Sep. 2000

Application

Low frequency power amplifier power switching complementary pair with 2SD476(K) and 2SD476A(K)

Outline

TO-220AB

1. Base

2. Collector

(Flange)

3. Emitter

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Ratings

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

2SB566(K)

2SB566A(K)

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–70

–50

–60

–5

–4

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Note: 1. Value at T_C= 25°C.

I_C(peak)

P_C*¹

–8

°C

150

Tstg

–55 to +150

12 3 4 5 6

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2SB566AK	RENESAS	获取价格	Silicon PNP Triple Diffused
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2SB566AKB	HITACHI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB566AKC	RENESAS	获取价格	4A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB566AKC-E	RENESAS	获取价格	4A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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