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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.6 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 7 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB566KC-E | RENESAS |
获取价格 |
4A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB591 | MICRO-ELECTRONICS |
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SILICON TRANSISTORS |
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| 2SB591A | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON TRANSISTORS |
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| 2SB592 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON TRANSISTORS |
|
| 2SB592A | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON TRANSISTORS |
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| 2SB595 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB595 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB595 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB595 | Wing Shing |
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LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER(PNP EPITAXUAL) |
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| 2SB595 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 100V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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