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2SB596R

更新时间: 2024-09-27 23:20:07
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统懋 - MOSPEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 123K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB

2SB596R 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.59
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):4 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):40
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):30 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO标称过渡频率 (fT):3 MHz
Base Number Matches:1

2SB596R 数据手册

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A

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