2SB600

更新时间： 2024-01-09 23:07:16

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	114K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB600 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	200 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	14 MHz	VCEsat-Max：	3 V
Base Number Matches：	1

2SB600 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB600

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High power dissipations

·Complement to type 2SD555

APPLICATIONS

·For use in audio and power

amplifier applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-200

-5

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-10

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

200

℃

T_j

150

T_stg

-55~200

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