Datasheet > 2SB601-K

2SB601-K

更新时间： 2024-01-23 22:42:45

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	110K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, SC-46, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB601-K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.36	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	5000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SB601-K 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SB601

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

FEATURES

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

• High-DC current gain due to Darlington connection

• Low collector saturation voltage

• Low collector cutoff current

• Ideal for use in direct drive from IC output for magnet drivers such

as treminal equipment or cash registers

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

Ratings

−100

Unit

−100

V^CEO

−7.0

V^EBO

–

5.0

I^C(DC)

ꢀꢁꢀꢂꢃꢄꢅꢆꢀ

ꢂꢅꢇꢇꢀꢂꢃꢈꢅꢇ

–

8.0

Collector current

I^C(pulse)*

I^B(DC)

−0.5

1.5

Base current

P^T(Ta = 25°C)

P^T(Tc = 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16131EJ3V0DS00

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与2SB601-K相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB601K-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220AB
2SB601K-S	RENESAS	获取价格	2SB601K-S
2SB601K-S-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-262AA
2SB601L	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-220AB
2SB601-L	RENESAS	获取价格	5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, SC-46, 3 PIN
2SB601L-S	RENESAS	获取价格	2SB601L-S
2SB601L-S-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-262AA
2SB601M	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-220AB
2SB601-M	NEC	获取价格	暂无描述
2SB601M-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220AB

与2SB601-K相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

15
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

13
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

13
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

16

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB601-K

2SB601-K 技术参数

2SB601-K 数据手册

与2SB601-K相关器件

与2SB601-K相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB601-K

2SB601-K 技术参数

2SB601-K 数据手册

与2SB601-K相关器件

与2SB601-K相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？