是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 最大集电极电流 (IC): | 5 A |
配置: | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE): | 2000 |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 30 W | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SB601M-S | RENESAS |
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2SB601M-S | |
2SB601M-S-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-262AA | |
2SB601-S | RENESAS |
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2SB601-S | |
2SB601-S-AZ | RENESAS |
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2SB601-S-AZ | |
2SB605 | NEC |
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PNP SILICON TRANSISTOR | |
2SB605-AZ | NEC |
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暂无描述 | |
2SB605K | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAKVAR | |
2SB605-K | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | |
2SB605L | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAKVAR | |
2SB605-L-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |