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2SB624

更新时间： 2024-01-01 05:07:08

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科信 - KEXIN		晶体晶体管开关光电二极管
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1页	38K
描述
PNP Silicon Epitaxial Transistor

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2SB624 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.38	最大集电极电流 (IC)：	0.7 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	160 MHz	Base Number Matches：	1

2SB624 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

PNP Silicon Epitaxial Transistor

2SB624

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

Micro package.

High dc current gain. hFE:200TYP. (VCE=-1V, IC=-100mA)

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector to base voltage

Symbol

Rating

-30

Unit

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Total power dissipation

Junction temperature

-25

-5

-700

P^T

200

T^j

150

Storage temperature range

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current gain *

Symbol

Testconditons

Min

Typ

200

Max

-100

400

Unit

I^CBO

I^EBO

h^FE

VCB = -30 V, IE = 0

VEB = -5.0 V, IC = 0

VCE = -1.0 V, IC = -100 mA

VCE = -6.0 V, IC = -10 mA

110

Base to emitter voltage *

Collector saturation voltage *

Output capacitance

V^BE

-600 -640 -700

V^CE(sat)IC = -700 mA, IB = -70 mA

-0.25 -0.6

C^ob

f^T

VCB = -6.0 V, IE = 0, f = 1.0 MHz

VCE = -6.0 V, IE = 10 mA

Gain bandwidth product

160

MHz

* Pulsed: PW

350 µs, duty cycle

hFE Classification

Marking

Rank

200 320

h^FE

110 180

135 220

170 270

250 400

www.kexin.com.cn

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