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2SB624

更新时间： 2024-02-20 20:46:37
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 422K
描述
PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor

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2SB624 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.38最大集电极电流 (IC)：0.7 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e6元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：160 MHzBase Number Matches：1

2SB624 数据手册

 浏览型号2SB624的Datasheet PDF文件第2页 
2SB624  
-0.7A , -30V  
PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
SOT-23  
FEATURES  
High DC Current Gain. hFE：200 (Typ.) (VCE= -1V, IC= -100mA)  
A
Complimentary to 2SD596  
L
3
3
Top View  
C B  
MARKING  
1
1
2
Product-Rank 2SB624-BV1 2SB624-BV2 2SB624-BV3  
Range 110~180 135~220 170~270  
Product-Rank 2SB624-BV4 2SB624-BV5  
Range 200~320 250~400  
2
K
F
E
D
H
J
G
Millimeter  
Millimeter  
Min. Max.  
0.10 REF.  
0.55 REF.  
0.08  
0.5 REF.  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
3.00  
2.55  
1.40  
1.15  
A
B
C
D
2.80  
2.25  
1.20  
0.90  
G
H
J
0.15  
PACKAGE INFORMATION  
K
E
F
1.80  
0.30  
2.00  
0.50  
L
0.95 TYP.  
Package  
MPQ  
LeaderSize  
7’ inch  
SOT-23  
3K  
Collector  
  
  
  
Base  
Emitter  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
-30  
Unit  
V
V
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction and Storage Temperature  
-25  
-5  
V
-700  
200  
150, -55~150  
mA  
mW  
°C  
PC  
TJ, TSTG  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
Collector to Base Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
-30  
-
-
V
IC= -100A, IE=0  
Collector to Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO  
-25  
-
-
V
IC= -1mA, IB=0  
Emitter to Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
V(BR)EBO  
ICBO  
-5  
-
-
-
-
-
-
-
V
IE= -100A, IC=0  
VCB= -30V, IE=0  
-0.1  
-0.1  
400  
-
A  
A  
Emitter Cut-off Current  
IEBO  
-
VEB= -5V, IC=0  
*
hFE (1)  
110  
50  
VCE= -1V, IC= -100mA  
VCE= -1V, IC= -700mA  
DC Current Gain  
*
hFE (2)  
Collector to Emitter  
Saturation Voltage  
*
VCE(sat)  
-
-
-0.6  
V
IC= -700mA, IB= -70mA  
*
Base to Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
VBE  
-0.6  
-
-0.7  
V
VCE= -6V, IC= -10mA  
VCE= -6V, IC= -10mA  
VCB= -6V, IE=0, f=1MHz  
fT  
-
-
160  
17  
-
-
MHz  
pF  
Collector Output Capacitance  
Cob  
*Pulse test：Pulse width ≦ 350 s, Duty Cycle ≦ 2%.  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
15-Feb-2011 Rev. A  
Page 1 of 2  
12

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