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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB605-L-AZ

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2SB605-L-AZ

更新时间： 2024-01-26 04:58:31

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
3页	174K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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2SB605-L-AZ 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.7 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz

2SB605-L-AZ 数据手册

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与2SB605-L-AZ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB605M	NEC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 700MA I(C) \| SPAKVAR	获取价格
2SB605-M	NEC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
2SB609	ISC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SB609	SAVANTIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SB613	ISC	isc Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SB616	ISC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格

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