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2SB624

更新时间： 2024-02-04 05:26:20

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	296K
描述
Silicon Epitaxial Planar Transistor

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2SB624 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.38	最大集电极电流 (IC)：	0.7 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	160 MHz	Base Number Matches：	1

2SB624 数据手册

BL Galaxy Electrical

Production specification

Silicon Epitaxial Planar Transistor

2SB624

FEATURES

Lead-free

High DC current gain.h_FE: 200TYP

(V_CE=-1.0V,I_C=-100mA)

Complimentary to the 2SD596.

APPLICATIONS

Audio frequency amplifier.

Switching appilication.

SOT-23

ORDERING INFORMATION

Type No.

Marking

BV1/BV2/BV3/BV4/BV5

Package Code

SOT-23

2SB624

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

V_CBO

-30

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

-25

-5

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

-700

250

℃

P_C

Junction and Storage Temperature

T_j,T_stg

-55~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Document number: BL/SSSTC014

Rev.A

www.galaxycn.com

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2SB624 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SB815	ONSEMI	功能相似	Bipolar Transistor
2SB815	SANYO	功能相似	For General-Purpose AF Amplifier

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB624_0712	BL Galaxy Electrical	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Transistor
2SB624_15	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB624_15	WINNERJOIN	获取价格	TRANSISTOR
2SB624ABV1	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
2SB624ABV1-T2B	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,25V V(BR)CEO,700MA I(C),TO-236VAR
2SB624ABV2	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
2SB624ABV2-T1B	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,25V V(BR)CEO,700MA I(C),TO-236VAR
2SB624ABV2-T1B-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,25V V(BR)CEO,700MA I(C),TO-236VAR
2SB624ABV2-T2B	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,25V V(BR)CEO,700MA I(C),TO-236VAR
2SB624ABV2-T2B-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,25V V(BR)CEO,700MA I(C),TO-236VAR