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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.75 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 200 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 14 MHz | VCEsat-Max： | 3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB600R | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SB601 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB601 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB601 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB601 | NEC |
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PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
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| 2SB601 | RENESAS |
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5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, SC-46, 3 PIN |
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| 2SB601 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans Darlington NPN 300V 5A 3-Pin(3+Tab) MP-25 |
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| 2SB601_15 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB601_2014 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB601K | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB |
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