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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 7 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB566AKC-E | RENESAS |
获取价格 |
4A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB566B(K) | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SB566C(K) | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SB566K | HITACHI |
获取价格 |
Silicon PNP Triple Diffused |
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| 2SB566K | RENESAS |
获取价格 |
Silicon PNP Triple Diffused |
|
| 2SB566KB | HITACHI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SB566KC | RENESAS |
获取价格 |
4A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| 2SB566KC-E | RENESAS |
获取价格 |
4A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| 2SB591 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON TRANSISTORS |
|
| 2SB591A | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON TRANSISTORS |
|
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