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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB562C-BP
2SB562C-BP PDF预览

2SB562C-BP

更新时间： 2024-11-18 13:04:15
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 224K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SB562C-BP 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.62
Is Samacsys：N湿度敏感等级：1
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

2SB562C-BP 数据手册

 浏览型号2SB562C-BP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB562C-BP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB562C-BP的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
2SB562  
Micro Commercial Components  
Features  
ꢀꢁ Low Frequency Power Amplifier.  
ꢀꢁ Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
PNP Epitaxial  
Silicon Transistor  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
x
x
Complementary pair with 2SD468  
TO-92L  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
-20  
-25  
-5.0  
-1.0  
Unit  
V
V
V
A
PC  
TJ  
TSTG  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
0.9  
-55 to +150  
-55 to +150  
W
OC  
OC  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
B
C
E
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-10ČAdc, IE=0)  
-20  
-25  
-5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc, IB=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=-0.01mAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-20Vdc,IE=0)  
---  
---  
---  
-1000  
-1000  
nAdc  
nAdc  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-4.0Vdc, IC=0)  
---  
---  
ON CHARACTERISTICS  
DIMENSIONS  
hFE  
VBE(on)  
VCE(sat)  
fT  
DC Current gain  
(IC=500mAdc, VCE=2.0Vdc)  
Base-Emitter On Voltage  
(VCE=-2.0Vdc, IC=-500mAdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-0.8Adc, IB=-80mAdc)  
Current Gain Bandwidth Product  
(VCE=-2.0Vdc, IC=-500mAdc)  
Output Capacitance  
85  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
240  
-1.0  
-0.5  
---  
---  
INCHES  
MAX  
.161  
MM  
DIM  
A
MIN  
.146  
.157  
---  
.014  
.050  
.185  
.307  
.543  
.024  
MIN  
MAX  
NOTE  
Vdc  
Vdc  
MHz  
pF  
3.700  
4.000  
4.10  
---  
B
---  
---  
C
D
E
0.063  
.018  
.062  
.201  
.323  
.559  
.031  
---  
1.600  
0.350  
1.280  
4.700  
0.450  
1.580  
5.100  
350  
38  
F
G
H
J
7.800  
13.80  
.600  
8.200  
14.20  
.800  
Cob  
---  
(VCB=-10Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
(1) hFE Classification B: 85~170, C: 120~240  
0.350  
.550  
K
L
.014  
.022  
1.270  
.050  
M
.096  
.104  
2.440  
2.640  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: 1  
2009/04/24  
1234

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与2SB562C-BP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB562C-BP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SB562C-E RENESAS

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 		1000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92MOD, 3 PIN
2SB562CTZ HITACHI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92MOD,
2SB562CTZ RENESAS

获取价格

 		1000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92MOD, 3 PIN
2SB562CTZ-E RENESAS

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 		Silicon PNP Epitaxial
2SB562G-B-T9N-B UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor
2SB562G-B-T9N-K UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor
2SB562G-C-T92-B UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor
2SB562G-X-T92-B UTC

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 		LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
2SB562G-X-T92-K UTC

获取价格

 		LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER

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