2SB531R

更新时间： 2024-11-01 13:04:11

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	72K
描述
Transistor

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2SB531R 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SB531R 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistors

2SB531

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -100V(Min)

·High Power Dissipation-

: P_C= 50W(Max)@T_C=25℃

·Complement to Type 2SD371

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-100

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Emitter Current-Continuous

-6

I_E

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-65~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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