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2SB539

更新时间： 2024-09-16 06:16:03

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	223K
描述
isc Silicon PNP Power Transistors

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2SB539 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
基于收集器的最大容量：	420 pF	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	7 MHz
VCEsat-Max：	2 V	Base Number Matches：	1

2SB539 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB1018A

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -0.5V(Max)@I_C= -4A

·High Current Capability- I_C= -7A

·Complement to Type 2SD1411A

APPLICATIONS

·High current switching applications.

·Power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-100

-80

UNIT

-5

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-7

I_B

-1

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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