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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.77 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 140 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 7 MHz | VCEsat-Max： | 2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB539BR | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SB539BS | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SB539C | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SB539CQ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2SB539CR | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SB539R | ISC |
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Transistor |
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| 2SB539S | ISC |
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Transistor |
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| 2SB541 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB541 | ISC |
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isc Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB541Q | ISC |
获取价格 |
Transistor |
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