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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.22 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 16 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 280 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 320 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1628-ZZ-AZ | RENESAS |
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3A, 16V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1628ZZ-T1-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,16V V(BR)CEO,3A I(C),TO-243 |
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| 2SB1628ZZ-T1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,16V V(BR)CEO,3A I(C),TO-243 |
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| 2SB1628ZZ-T2-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,16V V(BR)CEO,3A I(C),TO-243 |
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| 2SB1628ZZ-T2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,16V V(BR)CEO,3A I(C),TO-243 |
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| 2SB1629 | PANASONIC |
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Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification) |
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| 2SB1630 | PANASONIC |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1631 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification) |
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| 2SB1631P | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1631Q | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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