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2SB1629

更新时间： 2024-11-10 22:52:39
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松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
3页 56K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)

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2SB1629 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220E
包装说明：TO-220E, FULL PACK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：300JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz
Base Number Matches：1

2SB1629 数据手册

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Power Transistors  
2SB1629  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For power amplification  
Unit: mm  
4.6±0.2  
9.9±0.3  
2.9±0.2  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
■
φ3.2±0.1  
●
●
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE  
●
Full-pack package with outstanding insulation, which can be in-  
stalled to the heat sink with one screw  
2.6±0.1  
0.7±0.1  
1.2±0.15  
1.45±0.15  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
0.75±0.1  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–60  
2.54±0.2  
5.08±0.4  
–60  
V
–6  
V
1
2 3  
7°  
–6  
A
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
IC  
–3  
A
Base current  
IB  
–1  
A
TO–220E Full Pack Package  
Collector power TC=25°C  
40  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
2
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–100  
–100  
–100  
Unit  
µA  
µA  
µA  
V
VCB = –60V, IE = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
IEBO  
VCEO  
VEB = –40V, IB = 0  
VEB = –6V, IC = 0  
Emitter cutoff current  
Collector to emitter voltage  
Forward current transfer ratio  
IC = –25mA, IB = 0  
VCE = –4V, IC = – 0.5A  
IC = –2A, IB = – 0.05A  
–60  
300  
*
hFE  
700  
–1  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
V
Transition frequency  
fT  
VCE = –12V, IC = – 0.2A, f = 10MHz  
30  
MHz  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
Q
P
300 to 500 400 to 700  
1
123

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