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2SB1638A

更新时间： 2024-11-10 22:52:39

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松下 - PANASONIC		开关
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3页	61K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching)

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2SB1638A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1638A 数据手册

Power Transistors

2SB1638, 2SB1638A

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

7.0±0.3

3.0±0.2

3.5±0.2

For low-voltage switching

Features

■

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

1.1±0.1

0.85±0.1

0.4±0.1

●

Satisfactory linearity of foward current transfer ratio h_FE

0.75±0.1

●

I type package enabling direct soldering of the radiating fin to

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

2.3±0.2

4.6±0.4

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

1:Base

2:Collector

3:Emitter

I Type Package

Parameter

Symbol

Ratings

–40

Unit

Collector to

2SB1638

2SB1638A

2SB1638

V_CBO

Unit: mm

base voltage

Collector to

–50

7.0±0.3

3.5±0.2

2.0±0.2

3.0±0.2

0 to 0.15

–20

V_CEO

emitter voltage 2SB1638A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–40

V_EBO

I_CP

–5

–12

2.5

I_C

–7

0.75±0.1

0.5 max.

0.9±0.1

Collector power T_C=25°C

1.1±0.1

0 to 0.15

P_C

dissipation

Ta=25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

1:Base

2:Collector

3:Emitter

2.3±0.2

T_stg

–55 to +150

4.6±0.4

I Type Package (Y)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–50

Unit

µA

2SB1638

V_CB= –40V, I_E= 0

current

2SB1638A

V_CB= –50V, I_E= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

Emitter cutoff current

I_EBO

V_CEO

h_FE1

Collector to emitter 2SB1638

voltage 2SB1638A

–20

–40

I_C= –10mA, I_B= 0

V_CE= –2V, I_C= – 0.1A

Forward current transfer ratio

h_FE2

V_CE= –2V, I_C= –2A

260

– 0.6

–1.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= –5A, I_B= – 0.16A

Transition frequency

Collector output capacitance

Turn-on time

f_T

V_CE= –10V, I_C= – 0.5A, f = 10MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

150

140

0.1

0.5

0.1

MHz

µs

C_ob

t_on

t_stg

t_f

Storage time

I_C= –2A, I_B1= –66mA, I_B2= 66mA

µs

Fall time

µs

^*h_FE2Rank classification

Rank

h_FE2

90 to 180

130 to 260

12 3

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