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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.61 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 560 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1461 | ROHM |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP |
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| 2SB1461E | ROHM |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP |
|
| 2SB1461S | ROHM |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP |
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| 2SB1461T105/S | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1461T105/SE | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1461T105E | ROHM |
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2A, 20V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1461U | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP |
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| 2SB1462 | PANASONIC |
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Silicon PNP epitaxial planer type |
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| 2SB1462G | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO |
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| 2SB1462J | PANASONIC |
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For general amplification |
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