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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1207R
2SB1207R PDF预览

2SB1207R

更新时间： 2024-02-29 09:48:24
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 39K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1, 3 PIN

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2SB1207R 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.92
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：10 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：130 MHzBase Number Matches：1

2SB1207R 数据手册

 浏览型号2SB1207R的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SB1207  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For low-voltage output amplification  
Unit: mm  
4.0±0.2  
Features  
■
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
●
●
Optimum for high-density mounting.  
Allowing supply with the radial taping.  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
marking  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
–15  
Unit  
V
1
2
3
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–10  
V
1.27 1.27  
–7  
V
2.54±0.15  
–1  
A
1:Emitter  
2:Collector  
3:Base  
IC  
– 0.5  
300  
A
EIAJ:SC–72  
New S Type Package  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
mW  
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
nA  
V
Collector cutoff current  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCB = –10V, IE = 0  
–100  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC = –10µA, IE = 0  
–15  
–10  
–7  
I
C = –1mA, IB = 0  
V
IE = –10µA, IC = 0  
V
*1  
hFE  
VCE = –2V, IC = –0.5A*2  
VCE = –2V, IC = –1A*2  
IC = –0.4A, IB = –8mA  
IC = –0.4A, IB = –8mA  
130  
60  
350  
Forward current transfer ratio  
hFE2  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
– 0.16  
– 0.8  
130  
– 0.3  
–1.2  
V
V
Transition frequency  
fT  
VCB = –10V, IE = 50mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
22  
*2 Pulse measurement  
*1  
h
Rank classification  
FE1  
Rank  
hFE1  
R
S
130 ~ 220  
180 ~ 350  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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