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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.43 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1215_15 | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SB1215-D | SANYO |
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High-Current Switching Applications |
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| 2SB1215Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
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| 2SB1215-Q | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SB1215R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
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| 2SB1215-R | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SB1215R(TP) | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,3A I(C),TO-251VAR |
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| 2SB1215RTP | ONSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TP, 4 PI |
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| 2SB1215RTP-FA | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TP-FA, 4 |
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| 2SB1215S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
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