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2SB1209

更新时间： 2024-01-22 01:27:57
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
Silicon PNP triple diffusion planer type(For low-frequency amplification)

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2SB1209 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHz

2SB1209 数据手册

 浏览型号2SB1209的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SB1209  
Silicon PNP triple diffusion planer type  
For low-frequency amplification  
Unit: mm  
6.9±0.1  
2.5±0.1  
1.5  
1.5 R0.9  
1.0  
Features  
High collector to base voltage VCBO  
R0.9  
■
●
.
●
●
High collector to emitter voltage VCEO  
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
R0.7  
.
0.85  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
0.55±0.1  
0.45±0.05  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
–400  
–400  
–5  
Unit  
V
3
2
1
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
V
2.5  
2.5  
V
–200  
–100  
1
mA  
mA  
W
IC  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
EIAJ:SC–71  
M Type Mold Package  
*
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 ~ +150  
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm2 or more, and the board  
thickness of 1.7mm for the collector portion  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
Conditions  
IC = –100µA, IE = 0  
C = –500µA, IB = 0  
min  
typ  
max  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
–400  
–400  
–5  
VCEO  
VEBO  
hFE  
I
V
IE = –100µA, IC = 0  
V
Forward current transfer ratio  
VCE = –5V, IC = –30mA  
IC = –10mA, IB = –1mA  
IC = –50mA, IB = –5mA  
VCB = –30V, IE = 20mA, f = 200MHz  
VCB = –30V, IE = 0, f = 1MHz  
40  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
– 0.6  
–1.5  
V
V
Transition frequency  
fT  
50  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
9
1
12

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