5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.53 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1214TP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-251VAR |
|
| 2SB1214TP-FA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252VAR |
|
| 2SB1215 | SANYO |
获取价格 |
High-Current Switching Applications |
|
| 2SB1215 | KEXIN |
获取价格 |
Strobe High-Current Switching Applications |
|
| 2SB1215 | TYSEMI |
获取价格 |
Low collector-to-emitter saturation voltage. Excllent linearity of hFE. Fast switching tim |
|
| 2SB1215_15 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
|
| 2SB1215-D | SANYO |
获取价格 |
High-Current Switching Applications |
|
| 2SB1215Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
|
| 2SB1215-Q | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
|
| 2SB1215R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
