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2SB1215

更新时间： 2024-01-16 12:52:05

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2页	98K
描述
Low collector-to-emitter saturation voltage. Excllent linearity of hFE. Fast switching time.

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2SB1215 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.43	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1215 数据手册

Product specification

2SB1215

TO-252

Unit: mm

6.50^+0.15

-0.15

2.30^+0.1

-0.1

5.30^+0.2

0.50^+0.8

-0.7

Features

-0.2

Low collector-to-emitter saturation voltage.

Excllent linearity of hFE.

High fT.

0.127

max

0.80^+0.1

-0.1

Fast switching time.

0.60^+0.1

2.3

4.60^+0.15

-0.1

1 Base

-0.15

2 Collector

3 Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

-120

-100

-6

-3

Collector current (pulse)

Collector dissipation

T^C= 25

I^CP

-6

P^C

Jumction temperature

Storage temperature

T^j

150

T^stg

-55 to +150

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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