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2SB1151-Y

更新时间： 2024-09-13 01:15:11
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 305K
描述
PNP Plastic-Encapsulate Transistors

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2SB1151-Y 数据手册

 浏览型号2SB1151-Y的Datasheet PDF文件第2页 
2SB1151-O  
2SB1151-Y  
2SB1151-G  
M C C  
R
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
Features  
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
Large Collector Current  
High Power Dissipation  
·
·
·
PNP  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
·
·
Complement to 2SD1691  
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
·
·
·
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
K
A
Maximum Ratings  
N
Symbol  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Rating  
-60  
-60  
Unit  
V
V
VCEO  
VCBO  
VEBO  
D
-7.0  
V
ꢀ
E
IC  
Collector Current  
-5.0  
1.25  
A
W
M
B
PC  
Collector Power Dissipation  
R
thJA  
Thermal Resistance From Junction To Ambient  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
100  
oC/W  
ꢀ
ꢀ
TJ  
TSTG  
-55 to +150  
-55 to +150  
OC  
OC  
1
2
3
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
L
G
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
V(BR)CBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-100mAdc, IE=0)  
-60  
---  
Vdc  
---  
---  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
IEBO  
hFE-1  
hFE-2  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1.0mAdc, IB=0)  
-60  
-7  
Vdc  
Vdc  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=-100mAdc, IC=0)  
-10  
-10  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=-50Vdc,IE=0)  
---  
---  
µAdc  
µAdc  
F
Q
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=-7.0Vdc, IC=0)  
1.EMITTER  
J
2.COLLECTOR  
3.BASE  
DC Current Gain  
(IC=-2.0Adc, VCE=-1.0Vdc)  
DC Current Gain  
(IC=-0.1Adc, VCE=-1.0Vdc)  
100  
400  
DIMENSIONS  
60  
---  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
ꢇꢇꢆ  
ꢈꢀꢇꢆ  
ꢉꢆ  
ꢍ
ꢇꢀꢁꢆ  
0.291  
0.417  
0.602  
ꢎꢏꢐꢑ4  
0.118  
0.026  
0.046  
ꢇꢉꢊꢆ  
0.307ꢆ  
0.433  
0.618  
ꢎꢏꢐꢒ1  
0.126  
0.034  
0.054  
ꢇꢀꢁꢆ  
7.40  
10.60  
15.30  
3.90  
3.00  
0.66  
1.17  
ꢇꢉꢊꢆ  
7.80  
11.00  
15.70  
4.10  
3.20  
0.86  
1.37  
ꢁꢋꢌꢄꢆ  
DC Current Gain  
(IC=-5.0Adc, VCE=-2.0Vdc)  
hFE-3  
50  
---  
---  
ꢂꢆ  
ꢈꢆ  
ꢄꢆ  
ꢓ
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-2.0Adc, IB=-0.2Adc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
-0.3  
Vdc  
Vdc  
VBE(sat)  
---  
-1.2  
ꢔ
ꢕꢆ  
0.090TYP  
0.098  
2.290TYP  
2.50  
(IC=-2.0Adc,IB=-0.2Adc)  
ꢖꢆ  
0.114  
2.90  
L
M
N
0.083  
0.000  
0.043  
0.091  
0.012  
0.059  
2.10  
0.00  
1.10  
2.30  
0.30  
1.50  
CLASSIFICATION OF hFE(1)  
Q
0.018  
0.024  
0.45  
0.60  
RANK  
O
Y
G
RANGE  
100-200  
160-320  
200-400  
www.mccsemi.com  
2016/01/31  
Revision: A  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1151-Y-C SECOS

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