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2SB1155

更新时间： 2024-09-12 06:19:55

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
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4页	82K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1155 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1155

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·Complement to type 2SD1706

·Low collector saturation voltage

·Satisfactory linearity of h_FE

APPLICATIONS

·For power switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-130

-80

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-7

-15

I_CM

Collector current-peak

-25

T_C=25℃

T_a=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3 4

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