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2SB1156

更新时间： 2024-09-11 22:45:07
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松下 - PANASONIC 开关
页数 文件大小 规格书
3页 63K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching)

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2SB1156 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-92
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.72
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：20 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz
Base Number Matches：1

2SB1156 数据手册

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Power Transistors  
2SB1156  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For power switching  
Complementary to 2SD1707  
Unit: mm  
Features  
■
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
15.0±0.3  
11.0±0.2  
5.0±0.2  
3.2  
●
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE  
●
Large collector current IC  
φ3.2±0.1  
2.0±0.2  
●
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
one screw  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
2.0±0.1  
0.6±0.2  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
1.1±0.1  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–130  
5.45±0.3  
–80  
V
10.9±0.5  
–7  
–30  
V
1
2
3
A
IC  
–20  
A
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
Collector power TC=25°C  
100  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
3
TOP–3 Full Pack Package(a)  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–10  
–50  
Unit  
µA  
µA  
V
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = –100V, IE = 0  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
VEB = –5V, IC = 0  
IC = –10mA, IB = 0  
Collector to emitter voltage  
–80  
45  
V
CE = –2V, IC = – 0.1A  
*
Forward current transfer ratio  
hFE2  
VCE = –2V, IC = –3A  
90  
260  
hFE3  
VCE = –2V, IC = –10A  
IC = –8A, IB = – 0.4A  
IC = –20A, IB = –2A  
30  
VCE(sat)1  
VCE(sat)2  
VBE(sat)1  
VBE(sat)2  
fT  
– 0.5  
–1.5  
–1.5  
–2.5  
V
V
Collector to emitter saturation voltage  
Base to emitter saturation voltage  
IC = –8A, IB = – 0.4A  
IC = –20A, IB = –2A  
V
V
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 10MHz  
25  
0.5  
1.2  
0.2  
MHz  
µs  
ton  
IC = –3A, IB1 = – 0.8A, IB2 = 0.8A,  
VCC = –50V  
tstg  
µs  
tf  
µs  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
P
90 to 180  
130 to 260  
Note: Ordering can be made by the common rank (PQ rank hFE2 = 90 to 260) in the rank classification.  
1
123

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