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2SB1132P

更新时间: 2024-11-13 20:17:07
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美微科 - MCC 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 431K
描述
1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3

2SB1132P 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.58
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:32 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):82JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzBase Number Matches:1

2SB1132P 数据手册

 浏览型号2SB1132P的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
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20736 Marilla Street Chatsworth  
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TM  
2SB1132  
Micro Commercial Components  
Features  
PNP  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
Power dissipation: PCM = 0.5W(Tamb=25)  
Collector current: ICM = -1A  
Collector-base voltage: V(BR)CBO = -40V  
Operating and storage junction temperature range  
TJ, Tstg: -55to + 150℃  
SOT-89  
Electrical Characteristics @ 25Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Voltage  
(IC=-50μA, IE=0)  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VCEO  
-32  
---  
---  
V
Collector-Base Voltage  
(IC=-1μA, IB=0)  
VCBO  
-40  
---  
---  
V
V
A
K
B
Emitter-Base Voltage  
(IE=-50μA, IC=0)  
VEBO  
ICBO  
IEBO  
hFE  
-5.0  
---  
---  
---  
---  
-0.5  
-0.5  
390  
-0.5  
---  
Collector cut-off Current  
(VCB=-20V, IE=0)  
μA  
μA  
---  
E
C
Emitter cut-off Current  
(VEB=-5V, IC=0)  
DC current gain  
---  
---  
D
3
2
H
1
82  
---  
---  
G
(VCE=-2V, IC=-0.1A)  
J
F
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-2A, IB=-0.1A)  
Transition Frequency  
(VCE=2.0Vdc, IC=0.5Adc)  
Collector output capacitance  
(VCB=-10V, IE=0, f=1MHz)  
VCE(sat)  
fT  
---  
V
---  
150  
20  
MHz  
1.BASE  
Cob  
---  
30  
2.COLLECTOR  
3.EMITTER  
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
Range  
Marking  
P
Q
R
82-180  
BAP  
120-270  
BAQ  
180-390  
BAR  
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www.mccsemi.com  
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Revision: 2  
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