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2SB1132Q

更新时间: 2024-09-23 23:20:03
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罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 125K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62

2SB1132Q 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.34
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:32 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SB1132Q 数据手册

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Transistors  
Medium Power Transistor  
(*32V, *1A)  
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237  
FFeatures  
FExternal dimensions (Units: mm)  
1) Low VCE(sat).  
VCE(sat) = *0.2V (Typ.)  
(IC / IB = –500mA / –50mA)  
2) Compliments 2SD1664 /  
2SD1858.  
FStructure  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor  
(96-120-B12)  
207  

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