2SB1132PTPGP

更新时间： 2024-02-07 20:57:27

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力勤 - CHENMKO		晶体晶体管
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Transistor,

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2SB1132PTPGP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	JESD-609代码：	e0
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

2SB1132PTPGP 数据手册

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD

2SB1132PT

SURFACE MOUNT

PNP Medium Power Transistor

VOLTAGE 32 Volts CURRENT 1 Ampere

APPLICATION

* Telephony and proferssional communction equipment.

* Other switching applications.

FEATURE

SC-62/SOT-89

* Small flat package. ( SC-62/SOT-89 )

* High current gain.

* Suitable for high packing density.

* Low colloector-emitter saturation.

* High saturation current capability.

4.6MAX.

1.7MAX.

1.6MAX.

0.4+0.05

MARKING

* HFE(P):P32

* HFE(Q):Q32

* HFE(R):BAR

+0.08

0.45-0.05

+0.08

0.40-0.05

1.50+0.1

1 Base

2 Collector ( Heat Sink )

3 Emitter

CIRCUIT

Dimensions in millimeters

SC-62/SOT-89

LIMITING VALUES

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

V_CBO

MIN.

MAX.

-40

UNIT

−

collector-base voltage open emitter

V_CEO

collector-emitter voltage

open base

-32

−

-5

V_EBO

I_C

emitter-base voltage

collector current (DC)

open collector

-1

0.5

−

P_C

Collector power dissipation

Note2

T_stg

T_j

storage temperature

junction temperature

°C

−55

+150

150

−

Note

1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.

When mounted on a 40X40X0.7 mm ceramic board.

2004-03

12 3

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