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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.21 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1132-P | MCC |
获取价格 |
PNP Plastic-Encapsulate Transistors |
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| 2SB1132-P-AB3-R | UTC |
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MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1132-P-AB3-T | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1132P-G | WEITRON |
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Transistor |
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| 2SB1132PGP | CHENMKO |
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Transistor, |
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| 2SB1132PT | CHENMKO |
获取价格 |
PNP Medium Power Transistor |
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| 2SB1132-P-T | MCC |
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暂无描述 |
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| 2SB1132-P-TN3-R | UTC |
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MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1132-P-TN3-T | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1132-P-TP | MCC |
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暂无描述 |
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