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2SB1132L-Q-AB3-R

更新时间： 2024-01-31 09:41:16

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友顺 - UTC		晶体小信号双极晶体管
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描述
MEDIUM POWER TRANSISTOR

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2SB1132L-Q-AB3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1132L-Q-AB3-R 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

SOT-89 Plastic-Encapsulated Transistors

SOT-89

2SB1132 TRANSISTOR (PNP)

1. ^BASE

FEATURES

Power dissipation

2. ^COLLECTOR

3. ^EMITTER

P_CM:

0.5

-1

W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

Collector-base voltage

V_(BR)CBO-40

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=-50µA, I_E=0

Ic=-1mA, I_B=0

I_E=-50µA, I_C=0

V_CB=-20V, I_E=0

V_EB=-4V, I_C=0

MIN

-40

-32

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

µA

-0.5

390

-0.5

I_EBO

Emitter cut-off current

h_FE(1)

DC current gain

V_CE=-3V, I_C=-100mA

V_CE(sat)

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C=-500mA, I_B=-50mA

MHz

f_T

V_CE=-5V, I_C=-50mA, f=30MHz

150

C_ob

Collector output capacitance

_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

82-180

120-270

BAQ

180-390

Marking

BAP

BAR

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